ایکس رے جذب ٹھیک ساخت(XAFS)، جسے X-کرن جذب سپیکٹرو سکوپی (XAS) بھی کہا جاتا ہے، یہ سنکروٹران ریڈی ایشن لائٹ سورس پر مبنی مواد کے مقامی جوہری یا الیکٹرانک ڈھانچے کا مطالعہ کرنے کا ایک طاقتور ٹول ہے، اور بڑے پیمانے پر گرم میدانوں میں استعمال ہوتا ہے جیسے کیٹالیسس، توانائی اور نینو.
دیXAFSسپیکٹرم دو اہم حصوں پر مشتمل ہے: ایکس رے جذب قریب کی طرف کا ڈھانچہ (XANES) اور توسیع شدہ ایکس رے جذب ٹھیک ڈھانچہ (EXAFS)۔
EXAFS: جذب کے کنارے کے پیچھے توانائی کی حد تقریباً 50eV سے 1000eV ہے، جوایکسرےجوش
فوٹو الیکٹران کی اندرونی تہہ ارد گرد کے ایٹم اور جذب کرنے والے ایٹم کے درمیان ایک ہی الیکٹران کے بکھرنے والے اثر سے ہوتی ہے۔
XANES: جذب کنارے سے پہلے تقریباً 10eV کی حد تک جذب کنارے کے بعد تقریباً 50eV، بنیادی طور پر
ایکس رے۔ پرجوش اندرونی شیل فوٹو الیکٹران کے ذریعہ ارد گرد اور جذب کرنے والے ایٹموں کے درمیان واحد الیکٹران کا ایک سے زیادہ بکھرنا۔
درخواست کا میدان:
صنعتی کیٹالیسس، انرجی سٹوریج میٹریل، نینو میٹریلز، ماحولیاتی زہریلا، معیار کا تجزیہ، بھاری عنصر کا تجزیہ، وغیرہ
