news

1990 کی دہائی سے، سنکروٹرون ریڈی ایشن ایکس رے ٹوموگرافی امیجنگ ٹیکنالوجی کو مواد کی تحقیق میں بڑے پیمانے پر استعمال کیا گیا ہے۔

ایکس رے جذب سپیکٹروسکوپی ایک سپیکٹرل تکنیک ہے جس میں سنکروٹرون ریڈی ایشن ایکس رے کے واقعے سے پہلے اور بعد میں سگنل کی تبدیلیوں کا استعمال کرتے ہوئے مواد کی عنصری ساخت اور الیکٹرانک حالتوں کا تجزیہ کیا جاتا ہے۔

سنکروٹران تابکاری مدار کی مماس سمت کے ساتھ پیدا ہونے والی برقی مقناطیسی تابکاری ہے جب الیکٹران تیز رفتار وکر میں حرکت کر رہا ہوتا ہے، جس کا استعمال بہت سی جدید سائنسی اور تکنیکی تحقیق کے لیے کیا جا سکتا ہے۔

1912 میں، لاؤ وغیرہ al. نظریہ کے ذریعہ پیش گوئی کی گئی اور تجربے سے اس بات کی تصدیق کی گئی کہ جب ایکس رے کرسٹل سے ملتا ہے تو تفاوت واقع ہوسکتا ہے، یہ ثابت کرتا ہے کہ ایکس رے میں برقی مقناطیسی لہر کی خاصیت ہے، جو ایکس رے کے پھیلاؤ میں پہلا سنگ میل بنی۔

XAFS، مواد کے مقامی ڈھانچے کے تجزیہ کے لیے ایک اعلی درجے کی خصوصیت کی تکنیک کے طور پر، ایکس رے کرسٹل کے پھیلاؤ کے مقابلے میں مختصر فاصلے کے ڈھانچے کی حد میں زیادہ درست ایٹم ڈھانچہ کوآرڈینیشن معلومات فراہم کر سکتا ہے۔

ایکس رے کا پھیلاؤ عام طور پر استعمال ہونے والی ایک غیر تباہ کن تجزیاتی تکنیک ہے جسے کرسٹل کی ساخت، کیمیائی ساخت، اور مادوں کی جسمانی خصوصیات کو ظاہر کرنے کے لیے استعمال کیا جا سکتا ہے۔

ان سیٹو ڈفریکشن چوٹیوں کی پوزیشن اور شدت کی تبدیلیوں کے مطابق، سائیکل کے دوران پیدا ہونے والے انٹرمیڈیٹس کا اندازہ لگایا جا سکتا ہے، اور ان انٹرمیڈیٹس سے ردعمل کا طریقہ کار مزید اخذ کیا جا سکتا ہے۔

ایکس رے ابسورپشن فائن سٹرکچر (XAFS) سنکروٹرون ریڈی ایشن لائٹ سورس پر مبنی مواد کے مقامی ایٹم یا الیکٹرانک ڈھانچے کا مطالعہ کرنے کا ایک طاقتور ٹول ہے۔

جب انتہائی پتلی ایکس رے کا ایک شہتیر نینو میٹر سائز کے غیر مساوی الیکٹران کثافت والے مواد سے گزرتا ہے، تو ایکس رے اصل شہتیر کی سمت کے قریب ایک چھوٹے زاویہ والے علاقے میں پھیل جائیں گے، اس رجحان کو چھوٹا زاویہ X کہا جاتا ہے۔ -شعاعوں کا بکھرنا۔

چھوٹے زاویہ کا ایکس رے بکھرنا اصل بیم کے قریب چھوٹے زاویہ کی حد میں ایکس رے میں الیکٹرانوں کا پھیلا ہوا بکھرنا ہے۔ نینو میٹر پیمانے پر غیر یکساں الیکٹران کثافت کے ساتھ تمام مواد میں چھوٹے زاویہ بکھرنے کا عمل ہوتا ہے۔